[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080084342.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114788015A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 林泰伸 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;姚海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)包含：半导体层(11)；在第一方向上隔开间隔而形成于半导体层(11)的源极区域和漏极区域；栅极绝缘膜(16)，其形成为覆盖源极区域及漏极区域之间的沟道区域；栅极电极(17)，其形成在栅极绝缘膜(16)上，隔着栅极绝缘膜(16)与沟道区域相对。栅极绝缘膜(16)具有：主要部(16A)，该主要部(16A)上形成有栅极电极(17)；延长部(16C)，该延长部(16C)从主要部(16A)的与第一方向正交的第二方向两侧分别向外方突出，在延长部(16C)上形成有漏电流抑制电极(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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