[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置(1)包含：半导体层(11)；在第一方向上隔开间隔而形成于半导体层(11)的源极区域和漏极区域；栅极绝缘膜(16)，其形成为覆盖源极区域及漏极区域之间的沟道区域；栅极电极(17)，其形成在栅极绝缘膜(16)上，隔着栅极绝缘膜(16)与沟道区域相对。栅极绝缘膜(16)具有：主要部(16A)，该主要部(16A)上形成有栅极电极(17)；延长部(16C)，该延长部(16C)从主要部(16A)的与第一方向正交的第二方向两侧分别向外方突出，在延长部(16C)上形成有漏电流抑制电极(20)。

技术领域

本发明涉及MOS(Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)型晶体管等半导体装置。

背景技术

在p型MOS晶体管中具有形成在n型半导体基板上的n型阱。在该n型阱的表层部，相互隔开间隔地形成p型源极区域和p型漏极区域，它们之间成为沟道区域。栅极电极经由栅极绝缘膜与沟道区域相对。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-115056号公报

发明内容

发明要解决的课题

在p型MOS晶体管中，存在如下问题：在晶体管断开时，漏电流通过n型阱区域中的栅极电极的周围区域而从p型源极区域向p型漏极区域流动。这样的漏电流成为经时劣化的主要原因。

此外，在n型MOS晶体管中也存在同样的问题。即，在n型MOS晶体管中，存在如下问题：在晶体管断开时，漏电流通过p型阱区域中的栅极电极的周围区域而从n型漏极区域向n型源极区域流动。

本发明的目的在于提供一种能够降低漏电流的半导体装置。

用于解决课题的手段

本发明的一实施方式提供一种半导体装置，其包含：半导体层；在第一方向上隔开间隔而形成于所述半导体层的源极区域和漏极区域；栅极绝缘膜，其形成为覆盖所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；以及栅极电极，其形成在所述栅极绝缘膜上，隔着所述栅极绝缘膜与所述沟道区域相对，所述栅极绝缘膜具有：主要部，所述主要部上形成有所述栅极电极；延长部，所述延长部从所述主要部的与所述第一方向正交的第二方向两侧分别向外方突出，在所述延长部上形成有漏电流抑制电极。

在该结构中，能够降低漏电流。

在本发明的一实施方式中，对所述漏电流抑制电极施加与对所述半导体层施加的电压相等的电压。

在本发明的一实施方式中，对所述漏电流抑制电极和所述半导体层施加与对所述源极区域施加的电压相等的电压。

在本发明的一个实施方式中，在所述半导体层以包围所述栅极绝缘膜的方式形成有背栅极区域。

在本发明的一个实施方式中，在所述半导体层以包围所述背栅极区域的方式形成有元件分离部

在本发明的一个实施方式中，所述元件分离部为STI结构。

在本发明的一个实施方式中，所述延长部的至少一部分生成在与生成所述元件分离部的工序相同的工序中。

在本发明的一个实施方式中，所述漏电流抑制电极与所述背栅极区域电连接。

在本发明的一个实施方式中，所述漏电流抑制电极生成在与生成所述栅极电极的工序相同的工序中。