[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

半导体层；

在第一方向上隔开间隔而形成于所述半导体层的源极区域和漏极区域；

栅极绝缘膜，其形成为覆盖所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；

栅极电极，其形成在所述栅极绝缘膜上，隔着所述栅极绝缘膜与所述沟道区域相对，

所述栅极绝缘膜具有：主要部，该主要部上形成有所述栅极电极；延长部，该延长部从所述主要部的与所述第一方向正交的第二方向两侧分别向外方突出，

在所述延长部上形成有漏电流抑制电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置对所述漏电流抑制电极施加与对所述半导体层施加的电压相等的电压。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置对所述漏电流抑制电极和所述半导体层施加与对所述源极区域施加的电压相等的电压。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体层，以包围所述栅极绝缘膜的方式形成有背栅极区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体层，以包围所述背栅极区域的方式形成有元件分离部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述元件分离部为STI结构。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述延长部的至少一部分生成在与生成所述元件分离部的工序相同的工序中。

8.根据权利要求4至7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漏电流抑制电极与所述背栅极区域电连接。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漏电流抑制电极生成在与生成所述栅极电极的工序相同的工序中。

10.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含：在第一方向上隔开间隔地形成的源极区域和漏极区域、以覆盖这些区域之间的方式形成的栅极绝缘膜、以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，所述栅极绝缘膜具有：主要部，该主要部上形成有所述栅极电极；延长部，该延长部分别从所述主要部的与所述第一方向正交的第二方向两侧向外侧突出，

其特征在于，

所述方法包含：

在半导体基板的表层部形成成为所述延长部的一部分的第一绝缘层的工序；

通过选择性地掺杂所述半导体基板的第一导电型的第一杂质而形成第一导电型阱的工序；

通过对所述半导体基板选择性地进行热氧化，在形成所述主要部的同时形成成为所述延长部的一部分的第二绝缘层，生成具有由所述第一绝缘层和所述第二绝缘层构成的所述延长部、和所述主要部的所述栅极绝缘膜的工序；

在所述主要部上形成所述栅极电极的同时，在所述延长部上形成漏电流抑制电极的工序；

通过向所述第一导电型阱选择性地掺杂第二导电型的杂质，形成所述源极区域和所述漏极区域的工序。