[发明专利]制造半导体结构在审
| 申请号： | 202080074205.8 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN114616648A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 玛丽亚·约翰娜·海伦娜·约赫姆 | 申请（专利权）人： | 思敏光子控股有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/306;H01L21/764;H01L21/82;H01S5/20;G02B6/13;G02B6/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使其与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；移除该第一层的至少一部分以在该基材、该第二层与该第三层之间产生一空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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