[发明专利]具有改进的均匀性的半导体处理设备在审
| 申请号： | 202080059520.3 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN114303224A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李建;V·卡尔塞卡尔;P·布里尔哈特;J·C·罗查;V·K·普拉巴卡尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/505;C23C16/509 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 史起源;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 均匀 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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