[发明专利]晶片太阳能电池、太阳能模块以及用于制造晶片太阳能电池的方法在审
申请号: | 202080055280.X | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN114175278A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | M·沙佩尔 | 申请(专利权)人: | 韩华QCELLS有限公司 |
主分类号: | H01L31/056 | 分类号: | H01L31/056;H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄晓升 |
地址: | 德国比特尔费*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶片太阳能电池(100),其包括具有正面(11)和背面(12)的半导体基板(1)、设置在背面(12)上的选自由至少一个介电层、至少一个半导体层、至少一个透明导电层组成的组的至少一个功能层(2)、设置在至少一个功能层(2)的背离背面(12)的一侧上并且选自由折射率小于1.7的层、在红外线中的在1000nm波长处具有超过的80%的反射率的白色层以及均质金属层组成的组的单片构成的光反射层(3)、以及设置在光反射层(3)的背离至少一个功能层(2)的一侧上的含金属粒子的金属化层(4)。本发明还涉及一种具有多个这种晶片太阳能电池(100)的太阳能模块以及一种用于制造这种晶片太阳能电池(100)的方法。 | ||
搜索关键词: | 晶片 太阳能电池 太阳能 模块 以及 用于 制造 方法 | ||
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- 本实用新型提供一种氮化物薄膜太阳能电池,包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层;在衬底上从下向上设置非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层,n型掺杂层的边缘区域为台面,在台面上设置有n型欧姆电极,p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。本实用新型采用的DBR结构具有高反射率波段可调的特性。通过调整DBR结构中高、低折射率层的氮化物组分、厚度和周期数来调节高反射率波段位置,实现高反射率波段与电池光谱响应曲线的一致、协调;亦即,将高反射率波段调整到与太阳能电池处于高量子效率的波段一致的位置。如此,可使器件的效率实现最大化。
- 激光光伏电池及其制备方法、光电转换器-201810493855.0
- 朱明星;吴慧哲;李华;王伟明 - 江苏宜兴德融科技有限公司
- 2018-05-22 - 2018-09-18 - H01L31/056
- 本公开涉及一种激光光伏电池及其制备方法、包含激光光伏电池的光电转换器。所述激光光伏电池具有入光侧和背光侧,从背光侧至入光侧顺序包括:背金属层;在背金属层上方的光反射层;以及在光反射层上方的至少一个子电池;其中,所述背金属层代替衬底作为所述至少一个子电池的支撑基底。
- 一种太阳能电池及其制造方法-201711258796.0
- 孙健春 - 孙健春
- 2017-12-04 - 2018-05-04 - H01L31/056
- 本发明公开了一种太阳能电池和制造方法,光面的太阳电池表面对太阳光的反射率在35%以上,如果不做处理,则太阳电池的短路电流势必很低,无法达到高效性能,而本发明提出了太阳能电池通过反光折射板大幅度的提高了光线的漫发射,增加了光线的转化率;同时生产原有的太阳能电池板的方法出现残次品概率较高,并且现今的太阳能生产工艺完全满足不了本发明提出的太阳能电池板的生产,而本发明提出的生产方法可适用于普通电池板的生产和本发明提出的电池板的生产,提高了生产效率和生产质量。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的