[发明专利]蚀刻装置及其蚀刻方法在审
| 申请号： | 202080016475.3 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113474875A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李昇勋;牟圣元;李羊浩;裵祯贤;朴成焕;赵显东 | 申请（专利权）人： | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/306;H01L21/311;C09K13/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁小龙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻装置及其蚀刻方法，蚀刻装置包含：蚀刻液供应部，蚀刻液供应部向蚀刻腔室供应蚀刻液；冲洗液供应部，冲洗液供应部向蚀刻腔室供应冲洗液；清洗液供应部，清洗液供应部向蚀刻腔室供应清洗液；及第一加压维持部，第一加压维持部使蚀刻腔室与蚀刻液供应部中至少任意一个维持在加压环境。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰宜斯科技有限公司，未经杰宜斯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080016475.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
