[发明专利]半导体装置、固态摄像装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080010005.6 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113330564A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 冨田知大;冈本晋太郎;平井友洋 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8234;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/06;H01L27/146;H01L29/78;H04N5/369;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及能够改善栅极电容型的电压依赖性的半导体装置、固态摄像装置以及半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置，所述半导体装置具有层叠结构，在所述层叠结构中，层叠有形成在半导体层的表面上并且通过所述半导体层与金属反应形成的化合物层、与所述化合物层接触的绝缘膜层以及形成在所述绝缘膜层上的电极层。例如，本技术能够应用于固态摄像装置中包括的AD转换部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 固态 摄像 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
