[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202080009812.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113302724B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备：漂移层(13)；沟道层(14)，配置在漂移层(13)上；源极层(17)，形成在沟道层(14)的表层部，杂质浓度比沟道层(14)高；栅极层(15)，在沟道层(14)中形成得比源极层(17)深；体层(16)，在沟道层(14)中形成得比源极层(17)深，与栅极层(15)分离；屏蔽层(18)，以与栅极层(15)分离的状态而与栅极层(15)对置地形成在沟道层(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的部分，被维持为与栅极层(15)不同的电位；以及漏极层(11)，隔着漂移层(13)而配置在与沟道层(14)相反的一侧。并且，使栅极层(15)的深度(Yg)相对于体层(16)的深度(Yb)的深度比为0.45以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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