[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202080009812.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113302724B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L29/808;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，形成有结型FET，其特征在于，
具备：
第1导电型的漂移层(13)；
第1导电型的沟道层(14)，配置在上述漂移层的表面上；
第1导电型的源极层(17)，形成在上述沟道层的表层部，杂质浓度比上述沟道层高；
第2导电型的栅极层(15)，在上述沟道层中被形成得比上述源极层深；
第2导电型的体层(16)，在上述沟道层中形成得比上述源极层深，与上述栅极层分离；
屏蔽层(18)，以与上述栅极层分离的状态而与上述栅极层对置地形成在上述沟道层中的位于上述栅极层与上述漂移层之间的部分，被维持为与上述栅极层不同的电位；以及
漏极层(11)，隔着上述漂移层而配置在与上述沟道层相反的一侧；
上述栅极层的深度(Yg)相对于上述体层的深度(Yb)的深度比为0.45以下；
从上述漂移层与上述沟道层的层叠方向来看时，上述栅极层以一个方向为长度方向而延伸；
上述体层沿着上述层叠方向而形成；
在以上述长度方向为法线方向的剖面中，上述沟道层沿着上述层叠方向而从上述源极层的底面延伸到上述漂移层的上述表面；
在上述剖面中，上述屏蔽层形成在将上述栅极层的与上述层叠方向及上述长度方向正交的宽度方向的中心与上述漂移层之间包含在内的部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述深度比为0.2以上。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述屏蔽层的电位与上述体层的电位相同。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述屏蔽层通过与上述体层连接从而电位与上述体层的电位相同。
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