[发明专利]电子装置和其制造方法有效
| 申请号： | 202080003294.7 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN112335039B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张安邦 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778;H01L21/56;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种电子装置和其制造方法。所述电子装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，其位于所述衬底上；第二氮化物半导体层，其位于所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙；III‑V族介电层，其安置在所述第二氮化物半导体层上；栅极电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上；以及第一钝化层，其安置在所述III‑V族介电层上，其中所述III‑V族介电层通过所述第一钝化层而与所述栅极电极分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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