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[发明专利]GaN器件及其制备方法-CN202311120237.9在审
发明人： 张安邦 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN器件及其制备方法，通过形成具有不同功函数的第一栅金属电极及第二栅金属电极，且使得第二栅金属电极位于具有较大功函数的第一栅金属电极的外围，从而可使得GaN器件具有不同的微区栅控能力，构成具有不同局部阀值电压的GaN器件，以使得GaN器件的gm‑VGS特性曲线中的峰值区间展宽，提升GaN器件的线性度。
gan 器件及其制备方法

[实用新型]电机屏蔽罩和具有其的电子光学设备-CN202320225692.4有效
发明人： 张安邦;栗宽;崔帅超;张茂辉 -专利权人：国仪量子（合肥）技术有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02K11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机屏蔽罩和具有其的电子光学设备，所述电机屏蔽罩包括：多个导磁屏蔽壳，多个导磁屏蔽壳依次内外套设且间隔设置，多个所述导磁屏蔽壳中位于最内侧的一个的内部设有电机容纳腔，所述电机容纳腔内适于容纳电机；至少一个绝缘无磁隔离件，每相邻的两个所述导磁屏蔽壳之间夹持有所述绝缘无磁隔离件。根据本实用新型实施例的电机屏蔽罩具有屏蔽效果好、适用性强、重量轻等优点。
电机屏蔽具有电子光学设备

[发明专利]用于电子光学设备的维修机械臂和具有其的电子光学设备-CN202310839700.9在审
发明人： 张安邦;栗宽;张茂辉;崔帅超 -专利权人：国仪量子（合肥）技术有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子光学设备的维修机械臂和具有其的电子光学设备，所述用于电子光学设备的维修机械臂包括：底座，所述底座适于安装在所述电子光学设备上；升降臂，所述升降臂可伸缩地设在所述底座上；悬臂，所述悬臂可转动地设在所述升降臂上以由所述升降臂驱动升降且转动轴线沿所述升降臂的轴向定向；固定装置，所述固定装置设在所述悬臂上且适于与所述电子光学设备的电子光柱体可拆卸地连接。根据本发明实施例的用于电子光学设备的维修机械臂具有能够便于对电子光学设备进行维修、缩短维修周期、降低维修成本等优点。
用于电子光学设备维修机械具有

[外观设计]仿生鱼饵-CN202330326559.3有效
发明人： 张安邦 -专利权人： 张安邦
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： 22-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：仿生鱼饵。2.本外观设计产品的用途：钓鱼用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
仿生鱼饵

[发明专利]一种对抗联邦学习中多用户参数有偏聚合的动态功率控制方法及系统-CN202310528588.7在审
发明人：郭帅帅;张安邦;王衍虎;刘帅 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H04B17/345 文献下载
摘要：本发明涉及一种对抗联邦学习中多用户参数有偏聚合的动态功率控制方法及系统，包括：(1)建立对抗参数有偏聚合的联邦学习系统模型；(2)基于联邦学习系统模型训练的目的，构建相应的目标函数；(3)根据建立的联邦学习系统模型，引入对抗用户有偏梯度聚合的功率控制因子，确定相应的空中计算通信模型；(4)收发机之间不考虑协同操作，接收器端使用非相干能量检测法进行信号处理；(5)确立基于对抗参数有偏聚合的联邦学习安全机制方法，完成联邦学习系统模型的更新训练过程。针对联邦学习训练中参与用户的梯度有偏聚合情况，本发明综合考虑用户隐私要求和缓解大规模参数传递的通信负担需求，实现了一种安全‑高效权衡。
一种对抗联邦学习多用户参数聚合动态功率控制方法系统

[实用新型]一种扭力试验机辅助装置-CN202223255376.6有效
发明人：袁飞飞;江雅莉;孙权武;刘红;李菲菲;张安邦;胡婷婷 -专利权人：山西北方机械制造有限责任公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于扭力检测辅具领域，提供了一种扭力试验机辅助装置，包括固定板，位于扭力试验机固定卡盘上，固定板某一对称轴线上设有第一固定结构；扭板，位于扭力试验机转动卡盘上，扭板某一对称轴线上设有第二固定结构；芯轴，位于固定板和扭板之间，用于稳定固定板和扭板之间的弹簧，应用本实用新型的技术方案，当需要对弹簧扭力进行测试时，首先将固定板和扭板分别连接在扭力试验机的固定卡盘和转动卡盘上，然后选取稳定段与弹簧内径配合的芯轴并将其连接在扭板上，然后将弹簧套接在芯轴上，并利用第一固定结构和第二固定结构对弹簧进行固定，最后开启扭力试验机即可实现对弹簧的扭力测试。
一种扭力试验辅助装置

[发明专利]一种对抗不匹配背景知识库的收发机协同学习的语义通信方法及系统-CN202310488208.1在审
发明人：郭帅帅;王衍虎;张安邦;李树静;刘帅 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04B17/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种对抗不匹配背景知识库的收发机协同学习的语义通信方法及系统，包括：(1)建立收发机装配的语义通信系统模型；(2)确定合适的目标函数；(3)进行本地学习；(4)减小收发机上的语义通信系统模型；(5)进行收发机协同学习。针对语义通信中假设收发机共享知识库而忽略知识库不匹配的研究现状，本发明提出一种收发机协同学习的语义通信方法及系统。本发明通过网络参数交互而不是经验数据交互来缓解知识库不匹配的影响。为了减小网络参数共享带来的额外开销，利用量化减小网络模型大小。本发明所提方法可以减少由知识库不匹配对语义通信系统性能的影响，特别是在低信噪比情况下。
一种对抗匹配背景知识库收发协同学习语义通信方法系统

[发明专利]一种兼顾隐私保护的面向任务的语义通信方法及系统-CN202310488205.8在审
发明人：郭帅帅;王衍虎;李树静;张安邦;刘帅 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04W12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼顾隐私保护的面向任务的语义通信方法及系统，运行场景包括一个用户、一个边缘服务器和一个潜在的对手；包括：(1)建立兼顾隐私的面向任务的语义通信系统模型；(2)构造目标函数；(3)重构构造的目标函数；(4)设计对抗学习机制训练语义通信系统模型；(5)通过训练好的语义通信系统模型进行面向任务的语义通信。与已有设计相比，本发明所提方案能够实现很好的隐私‑效用权衡。
一种兼顾隐私保护面向任务语义通信方法系统

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080003452.9有效
发明人： 张安邦 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、经掺杂III‑V族半导体层和栅极层。所述第一氮化物半导体层具有第一表面。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层的第一表面上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述经掺杂III‑V族半导体层处于所述第二氮化物半导体层上方。所述经掺杂III‑V族半导体层包含具有不同厚度的第一部分和第二部分。所述栅极层安置于所述经掺杂III‑V族半导体层的所述第一部分和所述第二部分上。
半导体装置制造方法

[发明专利]电子装置-CN202111365337.9有效
发明人： 张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。
电子装置

[发明专利]半导体器件结构及其制造方法-CN202080005344.5有效
发明人： 张安邦;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔物、第二间隔物和漏电极。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上。所述栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔物安置于邻近所述栅极结构的第一表面处。所述第二间隔物安置于邻近所述栅极结构的第二表面安置处。与所述第一间隔物相比，所述漏电极相对邻近于所述第二间隔物安置。所述第一间隔物具有第一长度，且所述第二间隔物具有大于沿着所述第一方向的所述第一长度的第二长度。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080005209.0有效
发明人： 张安邦;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔件和第二间隔件。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述栅极结构安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第二间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上并且通过所述栅极结构与所述第一间隔件间隔开。所述第一间隔件的底部具有第一宽度，所述第二间隔件的底部具有第二宽度，且所述第一宽度不同于所述第二宽度。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN202010499377.1有效
发明人：李浩;郑浩宁;张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体组件及一种形成半导体组件的方法。所述半导体组件包含衬底、III‑V族层、经掺杂III‑V族层、栅极接触、第一场板及第二场板。所述III‑V族层设置于所述衬底上。所述经掺杂III‑V族层设置于所述III‑V族层上。所述栅极接触直接位于所述经掺杂III‑V族层上，所述栅极接触具有第一侧及第二侧皆远离所述经掺杂III‑V族层。所述第一场板具有第一侧及第二侧，所述第一场板的所述第一侧较所述第二侧更接近所述栅极接触的所述第二侧。所述第二场板具有第一侧及第二侧，所述第二场板的所述第一侧较所述第二侧更接近所述栅极接触的所述第二侧。所述第一场板比所述第二场板及所述栅极接触的所述第一侧及所述第二侧更靠近所述经掺杂III‑V族层。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]改善欧姆接触电阻的基于GaN的高电子迁移率晶体管-CN202111082909.2在审
发明人： 张安邦 -专利权人：安普林荷兰有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了改善欧姆接触电阻的基于GaN的高电子迁移率晶体管。本发明涉及一种基于氮化镓GaN的高电子迁移率晶体管HEMT及其制造方法。本发明还涉及一种包括这种HEMT的放大器。根据本发明，HEMT包括在漏极和/或源极触点下方延伸的至少一个区域。至少一个区域至少部分延伸穿过AlxGa(1‑x)N阻挡层，并显示出具有相对高的掺杂浓度的第一区域和具有相对低的掺杂浓度的第二区域的交替排列。
改善欧姆接触电阻基于 gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体装置结构及其制造方法-CN202080002651.8有效
发明人： 张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所述第三氮化物半导体层安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一电极安置于所述第二氮化物半导体层上，且与所述第三氮化物半导体层隔开。所述第二电极覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。
半导体装置结构及其制造方法

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