[实用新型]一种碳化硅MOSFET栅驱幅度限制内驱动保护装置

摘要

本实用新型涉及碳化硅MOSFET栅驱幅度限制内驱动保护装置，包括主芯片、基板，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极；基板上设有限流电阻、稳压管，限流电阻第二点位与稳压管第二点位电连接，限流电阻第一点位与栅极电连接，稳压管第一点位与源极电连接；稳压管第二点位与主芯片上第一触点连接，第三触点与源极电连接；金属极与第二触点电连接。该内驱动保护装置将栅驱动电压限制在安全范围内，有效解决栅驱动电压被击穿的问题；不需要引入外置保护电路，装配简便。