[实用新型]可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置有效
| 申请号： | 202023276733.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN214032755U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王旻峰;张洁;汪良;付芬;邓树军 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域。该可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置包括坩埚、籽晶及多个冷却管。坩埚用于容置原料，籽晶呈圆柱状，且位于坩埚内，并靠近坩埚的顶部设置。多个冷却管用于供冷却介质通过，且均为环状管，并同心设置。多个冷却管均与籽晶的顶端平行，且与籽晶顶端同心，并靠近籽晶顶端设置。该可径向调节温度梯度的碳化硅生长装置能够径向调整籽晶的温度梯度，且调节简单，调节效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 径向 调节 温度梯度 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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