[实用新型]半导体结构加工装置

摘要

本公开实施例公开了一种半导体结构加工装置，包括：去气腔，包括：第一腔体，位于第一腔体内的第一承载位及加热元件；加热元件用于加热半导体结构；沉积腔，包括：第二腔体，及位于第二腔体内的第二承载位；沉积腔，用于向半导体结构沉积目标材料；传输腔，包括：第三腔体，设置在第三腔体上的第一开口和第二开口，位于第三腔体内的传送结构，可活动地关闭或打开第一开口的第一盖体，和可活动地关闭或打开第二开口的第二盖体；第一开口打开时，第一腔体与第三腔体通过第一开口连通；第一开口关闭时，第一盖体隔开第一腔体与第三腔体；第二开口打开时，第二腔体与第三腔体通过第二开口连通；第二开口关闭时，第二盖体隔开第二腔体与第三腔体。