[实用新型]一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚有效
| 申请号： | 202021742009.7 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN213172678U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;徐现刚;王垚浩;胡小波;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于生长大尺寸碳化硅单晶的坩埚，通过将坩埚体分为上坩埚体和下坩埚体两部分结构，并且，设置坩埚盖扣合在上坩埚体的顶部，上坩埚体的底部与下坩埚体的顶部连接；下坩埚体的电阻率小于上坩埚体的电阻率，上坩埚体的电阻率小于或等于坩埚盖的电阻率。在碳化硅单晶生长时，由于下坩埚体的石墨电阻率低于上坩埚体的石墨电阻率，相应的下坩埚体的坩埚壁交变电流要比上坩埚体大，加热效率高，使得与之接触的碳化硅多晶粉料温度高；上坩埚体以及坩埚盖的石墨电阻率高于下坩埚体的石墨电阻率，相应的其产生的交变电流相对小，使得碳化硅籽晶区域温度低。这样，可以从坩埚体底部到顶部方向，营造轴向温度梯度，满足晶体生长速率要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 尺寸 碳化硅 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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