[实用新型]绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片有效
| 申请号： | 202020415276.7 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN211700252U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王咏;崔晓;方碧芹 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/492;H01L29/739 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片，包括底板、至少两个直接敷铜基板、至少两个绝缘栅双极型晶体管芯片、以及至少两个二极管芯片；直接敷铜基板设置于底板上，且每个直接敷铜基板上至少设置有一个绝缘栅双极型晶体管芯片和一个二极管芯片；二极管芯片相对设置，且至少两个直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片均呈镜像排布；直接敷铜基板上的绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片外围设置有绝缘沟槽，以划分出位于绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片与绝缘沟槽之间的散热区，且绝缘栅双极型晶体管与二极管芯片之间的散热区宽度大于预设宽度。上述绝缘栅双极型晶体管装置及半导体芯片散热性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 装置 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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