[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法有效
| 申请号： | 202011645381.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736137B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 任远;程川;陈志涛;刘宁炀;赵维;姜南 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 hemt 氮化物 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
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