[发明专利]用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀液有效
| 申请号： | 202011632974.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112779013B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;张子昂;张少辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀液，所述刻蚀液由氨基酸或其衍生物溶解于溶剂中组成。本发明以氨基酸或其衍生物为刻蚀剂用于光电化学刻蚀氮化镓，能够有效地刻蚀氮化镓，并且刻蚀工艺对设备要求低、操作方便、流程简易且绿色环保，对材料表面的损伤小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电 化学 刻蚀 氮化 | ||
【主权项】：
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