[发明专利]一种改善SiC功率器件封装热均匀性的封装结构在审
| 申请号： | 202011628481.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112670254A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 何少伟;马敏辉;宋召海 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/492;H01L25/11;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善SiC功率器件封装热均匀性的封装结构，包括SiC芯片一、SiC芯片二、DBC上铜层一、DBC上铜层二、DBC上铜层三、DBC陶瓷层、DBC下铜层以及基板；所述DBC上铜层一、DBC上铜层二、DBC上铜层三以及所述DBC下铜层的表面均刻蚀镂空结构焊料层；所述SiC芯片一的上表面通过键合铝包铜带与所述DBC上铜层二上的所述镂空结构焊料层相连；所述SiC芯片二的上表面通过键合铝包铜带与所述DBC上铜层三上的所述镂空结构焊料层相连。本申请的封装结构散热均匀、可靠性高，键合铝包铜带导电性能好、寄生电感小，可以有效加固键合线的连接，提高SiC功率器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sic 功率 器件 封装 均匀 结构 | ||
【主权项】：
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