[发明专利]一种SiC MOSFET结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202011625678.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736126B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;蔡文必;彭志高;李立均;郭元旭 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET结构，其SiC MOSFET结构中包括若干元胞区、位于该些元胞区一侧的栅极区以及位于该些元胞区外围的过渡区，其中过渡区设有与元胞P+区相连并具有相同注入的过渡P+区，元胞P+区和过渡P+区上设有源极欧姆接触层，源极欧姆接触层与源极金属连接。本发明还公开了上述结构的制作方法。本发明在不额外增加器件面积的前提下不但可以增加结构中的P+区域的面积，提高SiC MOSFET的体二极管通流能力，极大减小器件在反向续流导通时的损耗，而且提高了体二极管工作时的散热面积，提升器件的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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