[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202011622803.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130313A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 温明璋;张长昀;陈耿尧;戴振宇;傅依婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，说明具有可调栅极高度与有效电容的装置的制作方法。方法包括形成第一金属栅极堆叠于半导体基板的虚置区中，且第一金属栅极堆叠包括第一功函数金属层；形成第二金属栅极堆叠于半导体基板的主动装置区中，第二金属栅极堆叠包括第二功函数金属层，且第一功函数金属层与第二功函数金属层不同；以及采用含电荷的多个研磨纳米颗粒的研磨液进行化学机械研磨制程。含电荷的研磨纳米颗粒在主动装置区中的第一浓度与在虚置区中的第二浓度不同，造成主动装置区与虚置区中的研磨速率不同。化学机械研磨制程之后的第一金属栅极堆叠具有第一高度而第二金属栅极堆叠具有第二高度，且第一高度与第二高度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
