[发明专利]半导体存储装置及其测试方法在审
| 申请号： | 202011609599.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582017A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李钟哲;李炯尚 | 申请（专利权）人： | 东芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/26 | 分类号： | G11C29/26;G06F12/0882;G06F13/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 200000 上海市青浦区赵巷镇沪青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储装置及其测试方法，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个存储单元，所述多个存储单元被划分为多个页，每个页中的多个存储单元与同一字线相连接；页缓存阵列，通过位线与所述存储单元阵列相连接，所述页缓存阵列包括多个页缓存器组，每个所述页缓存器组中包括多级页缓存器，所述多级页缓存器中包括至少一个第一页缓存器，所述第一页缓存器中包括错误计数单元，所述错误计数单元适于累计与所述页缓存器组连接的多个目标存储单元中的错误页数量。根据该半导体存储装置，半导体芯片尺寸增加的较小，可以进行半导体芯片的自动化测试，可以减少测试时间，提高了芯片面积利用率和测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
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