[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011593625.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695531A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;吴星星;裴轶;宋晰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅极连接结构分别与第一栅极和第二栅极接触电连接；栅极连接结构和与其接触连接的栅极一体设置。采用上述技术方案，可以在兼顾功率和频率特性的同时，保证栅极结构稳定、性能稳定；还可以在满足不同频率和功率设计时，大大降低工业成本；并且半导体器件结构简单，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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