[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅极连接结构分别与第一栅极和第二栅极接触电连接；栅极连接结构和与其接触连接的栅极一体设置。采用上述技术方案，可以在兼顾功率和频率特性的同时，保证栅极结构稳定、性能稳定；还可以在满足不同频率和功率设计时，大大降低工业成本；并且半导体器件结构简单，工艺简单。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

半导体材料氮化镓(GaN)具有很强的自发和压电极化效应，并且具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿场强高、导热性能好等特点，在制造高频、高压和耐高温的大功率电子器件的应用领域中优势明显。

目前5G通信对于半导体芯片的带宽和工作频率要求很高，而栅极的结构设计和制造工艺与半导体芯片的频率特性密切相关，栅极的结构直接影响半导体芯片的工作频率。在半导体芯片的生产制造过程中，研究栅极的设计具有非常重要的意义。

因此，如何进一步提高半导体栅极可靠性，在实现半导体芯片性能稳定的同时，又可以用于实现大规模商业生产制备，成为目前急需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体器件及其制备方法，进一步提高了半导体栅极的可靠性，有利于提高半导体芯片的工作稳定性，可用于射频微波、电源电子等领域。

第一方面，本发明实施例提供了一种半导体器件，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括：

衬底；

位于所述衬底一侧且位于所述有源区的至少两个栅极，至少两个所述栅极包括第一栅极和第二栅极；

位于所述衬底一侧且位于所述无源区的至少一个栅极连接结构，所述栅极连接结构分别与所述第一栅极和所述第二栅极接触电连接；所述栅极连接结构和与其接触连接的所述栅极一体设置。

可选的，所述半导体器件还包括第一电极和第二电极；所述第二电极至少包括第二甲电极和第二乙电极；

沿第一方向，所述第二甲电极、第一栅极、所述第一电极、所述第二栅极和所述第二乙电极依次设置；所述第一方向与所述衬底所在平面平行。

可选的，所述栅极连接结构包括第一连接分部、第二连接分部和第三连接分部；

所述第一连接部分沿第二方向延伸且与所述第一栅极连接；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

所述第三连接分部沿所述第二方向延伸且与所述第二栅极连接；

所述第二连接分部沿所述第一方向延伸且分别与所述第一连接分部和所述第三连接分部连接；

所述第一连接分部在所述第一方向上的延伸宽度大于所述第一栅极在所述第一方向上的延伸宽度；

所述第三连接分部在所述第一方向上的延伸宽度大于所述第二栅极在所述第一方向上的延伸宽度；

所述第二连接分部在所述二方向上的延伸宽度大于所述第一连接分部以及所述第三连接分部在所述第一方向上的延伸宽度。

可选的，同一所述栅极连接结构中，所述第一连接分部远离所述第三连接分部一侧的边界与所述第三连接分部远离所述第一连接分部一侧的边界之间的距离为L1；

所述第二甲电极与所述第二乙电极之间的距离为L2；

其中，L1＜L2。