[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括：

衬底；

位于所述衬底一侧且位于所述有源区的至少两个栅极，至少两个所述栅极包括第一栅极和第二栅极；

位于所述衬底一侧且位于所述无源区的至少一个栅极连接结构，所述栅极连接结构分别与所述第一栅极和所述第二栅极接触电连接；所述栅极连接结构和与其接触连接的所述栅极一体设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一电极和第二电极；所述第二电极至少包括第二甲电极和第二乙电极；

沿第一方向，所述第二甲电极、第一栅极、所述第一电极、所述第二栅极和所述第二乙电极依次设置；所述第一方向与所述衬底所在平面平行。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构包括第一连接分部、第二连接分部和第三连接分部；

所述第一连接部分沿第二方向延伸且与所述第一栅极连接；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

所述第三连接分部沿所述第二方向延伸且与所述第二栅极连接；

所述第二连接分部沿所述第一方向延伸且分别与所述第一连接分部和所述第三连接分部连接；

所述第一连接分部在所述第一方向上的延伸宽度大于所述第一栅极在所述第一方向上的延伸宽度；

所述第三连接分部在所述第一方向上的延伸宽度大于所述第二栅极在所述第一方向上的延伸宽度；

所述第二连接分部在所述二方向上的延伸宽度大于所述第一连接分部以及所述第三连接分部在所述第一方向上的延伸宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，同一所述栅极连接结构中，所述第一连接分部远离所述第三连接分部一侧的边界与所述第三连接分部远离所述第一连接分部一侧的边界之间的距离为L1；

所述第二甲电极与所述第二乙电极之间的距离为L2；

其中，L1＜L2。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二连接分部靠近所述有源区一侧的边界与所述有源区之间的距离L3满足10μm≤L3≤100μm。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二连接分部的边角包括倒角或者圆弧角。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极关于第一对称轴对称；

所述栅极连接结构关于第二对称轴对称，且所述第二对称轴与所述第一对称轴为同一对称轴。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述无源区且位于所述栅极连接结构远离所述有源区一侧的栅极键合盘，所述栅极键合盘与所述栅极连接结构通过过孔电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构中形成有开口，所述开口与所述栅极连接结构边界之间的最小距离L4满足L4≥1μm；

所述开口中填充有键合连接金属，所述栅极键合盘与所述键合连接金属通过所述过孔电连接。

10.一种半导体器件的制备方法，用于制备权利要求1-9任一项所述的半导体器件，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧且在所述有源区制备至少两个栅极，至少两个所述栅极包括第一栅极和第二栅极；

在所述衬底一侧且在所述无源区制备至少一个栅极连接结构，所述栅极连接结构分别与所述第一栅极和所述第二栅极接触电连接；所述栅极连接结构和与其接触连接的所述栅极一体设置。