[发明专利]耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置在审
| 申请号： | 202011541484.2 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664623A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 段蛟 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置，该方法包含：提供一半导体零部件本体；提供一靶材，用于提供具有晶面随机分布的分子流；提供至少一晶体过滤器，设置在所述的半导体零部件本体与所述靶材之间，用于选择过滤分子流，以在半导体零部件本体表面形成耐等离子腐蚀涂层，该涂层具有对应不同强度的多个晶面结构。本发明通过在半导体零部件本体与靶材之间设置晶体过滤器，优先在晶体过滤器表面沉积与小于第三高强度的各个强度对应的各晶面，以实现在半导体零部件本体表面主要沉积与大于第四高强度的各个强度对应的各晶面，使得涂层达到类似单晶结构的效果，提高涂层耐腐蚀能力，进而提高等离子体刻蚀水平。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 腐蚀 半导体 零部件 及其 制备 方法 反应 装置 | ||
【主权项】：
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