[发明专利]一种PIN肖特基二极管的碳化硅MOSFET在审
| 申请号： | 202011524489.4 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112614892A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邱嵩;齐鹏远;李凡;欧阳双 | 申请（专利权）人： | 成都杰启科电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙) 50220 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PIN肖特基二极管的碳化硅MOSFET，包括半导体主体，所述半导体主体包括N型区、P+源极区，所述P+源极区设置在N型区上，所述N型区的下表面覆盖了金属化漏极；所述N型区的上表面与P+源极区的侧面形成沟槽，在所述沟槽内设置了栅极，且栅极与所述N型区的上表面接触；所述P+源极区的上表面覆盖了金属化源极，且所述金属化源极具有延展结构，所述延展结构贯穿栅极且与N型区接触。本方案将快恢复混合型PIN肖特基二极管(MPS)集成在碳化硅MOSFET结构中，对比传统的沟槽型碳化硅MOSFET外接二极管的形式，在不损失碳化硅MOSFET功耗的情况下减少其外围器件的使用数量，并且实现了减少开关损耗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 肖特基 二极管 碳化硅 mosfet | ||
【主权项】：
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