[发明专利]一种深紫外半导体发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 202011517916.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112635628B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张勇辉;张沐垚;张紫辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种深紫外半导体发光二极管外延结构。该外延结构沿着外延方向依次包括图形衬底、半导体缓冲层、n型半导体材料层、多量子阱层、p型电子阻挡层、p型半导体材料传输层；所述的图形衬底上刻蚀有凹槽，每个凹槽上，均向上垂直生长有一个空腔结构，空腔结构穿过半导体缓冲层、n型半导体材料层、多量子阱层，顶部位置为以下三种：第一种，聚合在p型电子阻挡层，空腔在p型电子阻挡层内的聚合深度为10～100nm，或者，第二种，继续穿过p型电子阻挡层，聚合在p型半导体材料传输层，空腔在p型半导体材料传输层内的聚合深度为10～500nm，或者，第三种，继续穿过p型电子阻挡层和p型半导体材料传输层，空腔不聚合，在p型半导体材料传输层表面显现为圆孔。本发明可以提高深紫外LED的内量子效率；并且量子阱中并入空腔结构，可以有效改善光的散射特性，提高深紫外发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 半导体 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
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