[发明专利]一种堆叠结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011504926.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635475A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨事成;张莉;阙凤森;贺晓平;陈冠桦;施生巍;李康;钟磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种堆叠结构及其制备方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，且所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻，如此设置的掺氧氮化物层可以在刻蚀过程中起到缓冲作用，避免了刻蚀工艺在从氧化物层刻蚀到氮化物层时，由于驱动方式突变而造成的氮化物层损毁或缺陷的问题，提升了基于所述堆叠结构制备的三维NAND存储器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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