[发明专利]具有带陷阱增强添加剂的电荷俘获材料的存储器单元和集成组合件在审
| 申请号： | 202011471513.2 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN113097293A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | M·西迪克;T·H·金 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/792;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有带陷阱增强添加剂的电荷俘获材料的存储器单元和集成组合件。一些实施例包含一种存储器单元，其具有介于半导体沟道材料与门控区域之间的电荷俘获材料。所述电荷俘获材料包含硅、氮及陷阱增强添加剂。所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。一些实施例包含一种具有交替的第一层阶及第二层阶的堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料支柱延伸穿过所述堆叠。电荷俘获区域沿着所述沟道材料支柱且介于所述沟道材料支柱与所述导电结构之间。所述电荷俘获区域包含电荷俘获材料，所述材料包含硅、氮及陷阱增强添加剂。所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 陷阱 增强 添加剂 电荷 俘获 材料 存储器 单元 集成 组合 | ||
【主权项】：
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