[发明专利]具有带陷阱增强添加剂的电荷俘获材料的存储器单元和集成组合件

说明书

本申请案涉及具有带陷阱增强添加剂的电荷俘获材料的存储器单元和集成组合件。一些实施例包含一种存储器单元，其具有介于半导体沟道材料与门控区域之间的电荷俘获材料。所述电荷俘获材料包含硅、氮及陷阱增强添加剂。所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。一些实施例包含一种具有交替的第一层阶及第二层阶的堆叠的集成组合件。所述第一层阶包含导电结构且所述第二层阶是绝缘的。沟道材料支柱延伸穿过所述堆叠。电荷俘获区域沿着所述沟道材料支柱且介于所述沟道材料支柱与所述导电结构之间。所述电荷俘获区域包含电荷俘获材料，所述材料包含硅、氮及陷阱增强添加剂。所述陷阱增强添加剂包含碳、硼、磷及金属中的一或多者。

技术领域

本发明涉及存储器单元和集成组合件。本发明涉及电荷俘获材料。本发明涉及在电荷俘获材料内并入陷阱增强添加剂(例如碳、硼、磷、金属等)。

背景技术

存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机和装置中有广泛的用途。例如，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，计算机和其它装置越来越普遍地在固态驱动器中利用快闪存储器来取代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在新的通信协议标准化时支持所述新的通信协议，并提供远程升级装置以增强特征的能力。

NAND可为快闪存储器的基础架构，且可经配置以包括竖直堆叠存储器单元。

在具体描述NAND之前，更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能有帮助。图1展示现有技术装置1000的框图，其包含存储器阵列1002，存储器阵列1002具有布置成行和列的多个存储器单元1003以及存取线1004(例如，传导信号WL0到WLm的字线)及第一数据线1006(例如，传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用于传送信息到存储器单元1003且从存储器单元1003传送信息。行解码器1007及列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定将存取存储器单元1003中的哪些。感测放大器电路1015操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从存储器单元1003读取的信息的值或写入到存储器单元1003中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020与装置1000通信。使用存储器控制单元1018来控制将对存储器单元1003执行的存储器操作，且存储器控制单元1018利用控制线1020上的信号。装置1000可分别接收第一供应线1030及第二供应线1032上的供应电压信号Vcc及Vss。装置1000包含选择电路1040和输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017响应于信号CSEL1到CSELn以选择第一数据线1006和第二数据线1013上的可表示将从存储器单元1003读取或编程到存储器单元1003中的信息的值的信号。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号选择性地激活CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可在读取及编程操作期间选择第一数据线1006和第二数据线1013上的信号以提供存储器阵列1002与I/O电路1017之间的通信。