[发明专利]SiC MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202011465374.2 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114628515A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;蒋容 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET器件，包括：形成于SiC外延层中形成有沟槽栅；在栅极沟槽的底部表面下形成有第一底部掺杂区，在SiC外延层中形成有和栅极沟槽之间具有间距的第二深掺杂区，第一底部掺杂区连接到源极，使栅极沟槽底部表面的栅介质层所承受电压由栅源电压确定从而降低栅极沟槽底部表面的栅介质层所承受的电场强度；第二深掺杂区从SiC外延层的顶部表面向下延伸且第二深掺杂区的底部表面位于第一底部掺杂区的底部表面之下；第二深掺杂区的顶部连接到源极；第一底部掺杂区和第二底部掺杂区增加对沟道区底部的位于第一底部掺杂区和第二底部掺杂区之间的漂移区的耗尽，以降低短沟道效应。本发明公开了一种SiC MOSFET器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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