[发明专利]生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202011446962.1 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112563377A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;蓝树玉 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/24;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片，包括从上到下依次设置的具有异质材料阵列的衬底，溅射Ⅲ‑Ⅴ族化合物成核层、未掺杂Ⅲ‑Ⅴ族缓冲层、硅掺杂Ⅲ‑Ⅴ族层、多量子阱有源层、镁掺杂Ⅲ‑Ⅴ族层、透明导电层、反射层、钝化层、电极和散热基板；具有异质材料阵列的衬底包括平衬底和衬底表面的凹凸形的异质材料阵列；且所述的异质材料阵列的折射率小于平衬底的折射率。本发明通过在平衬底上设置折射率更小的凹凸形异质材料阵列，可减小衬底与空气的折射率差异，从而提高芯片的顶部出光，最终获得更高的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 具有 材料 阵列 衬底 倒装 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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