[发明专利]一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片在审
| 申请号： | 202011419880.8 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112968085A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张雪梅;王涛 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片，所述外延片的制作方法包括如下步骤：在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。通过在第一P型氮化镓层上再生长出一层第二P型氮化镓层，使外延片的表面粗化，提高基于外延片的芯片的出光效率，增加亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
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