[发明专利]竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011361668.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112885888A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | A·布罗克迈尔;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。 | ||
| 搜索关键词： | 竖向 功率 半导体器件 半导体 晶片 管芯 布置 载体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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