[发明专利]一种BTS型MOSFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011358006.8 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466949B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;高林春;李晓静;闫薇薇;单梁;李多力;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bts mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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