[发明专利]三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法在审
| 申请号： | 202011346030.X | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112466875A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;吕术亮;熊攀;马杰康;毛格;章科强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法，其中，所述三维存储器的形成方法包括：在待处理的叠层结构中形成孔道结构；采用原子层沉积工艺，充入反应前驱体，在所述孔道结构中形成掺杂有氯离子的氮化钛粘合层，其中，所述氮化钛粘合层具有第一电阻率；采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设气体的等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，以去除所述氯离子，得到处理后的氮化钛粘合层，其中，所述处理后的氮化钛粘合层具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率；在所述处理后的氮化钛粘合层表面沉积金属层，以形成所述三维存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 氮化 粘合 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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