[发明专利]三维存储器及氮化钛粘合层的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在待处理的叠层结构中形成孔道结构；

采用原子层沉积工艺，充入反应前驱体，在所述孔道结构中形成掺杂有氯离子的氮化钛粘合层，其中，所述氮化钛粘合层具有第一电阻率；

采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设气体的等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，以去除所述氯离子，得到处理后的氮化钛粘合层，其中，所述处理后的氮化钛粘合层具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率；

在所述处理后的氮化钛粘合层表面沉积金属层，以形成所述三维存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设气体包括氢气；对应地，所述预设气体的等离子体包括氢气等离子体；所述预设处理参数至少包括预设压力和/或预设时间；

所述采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设气体的等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，以去除所述氯离子，得到处理后的氮化钛粘合层，包括：

采用氢气等离子体以所述预设压力和/或所述预设时间处理所述氮化钛粘合层，使得所述氢气等离子体中的氢离子与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生化合反应，生成氯化氢气体；

去除所述氯化氢气体，以去除所述氯离子，得到所述处理后的氮化粘合层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用氢气等离子体以所述预设压力和/或所述预设时间处理所述氮化钛粘合层，包括：

将预设体积的氢气输入至等离子喷枪，在所述等离子喷枪中的高频电压的作用下，所述氢气被电离形成所述氢气等离子体；

通过所述等离子喷枪的喷头，将所述氢气等离子体以所述预设压力和/或所述预设时间喷射至所述氮化钛粘合层的表面，以实现处理所述氮化钛粘合层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用氢气等离子体以所述预设压力和/或所述预设时间处理所述氮化钛粘合层，包括：

将预设体积的氢气输入至等离子喷枪，通过所述等离子喷枪的加热模块将所述氢气加热至氢气电离温度，使得所述氢气在所述氢气电离温度下被电离形成所述氢气等离子体；

通过所述等离子喷枪的喷头，将所述氢气等离子体以所述预设压力和/或所述预设时间喷射至所述氮化钛粘合层的表面，以实现处理所述氮化钛粘合层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预设压力和/或所述预设温度下，所述处理后的氮化钛粘合层的第一厚度，与处理之前的所述氮化钛粘合层的第二厚度之间的差值小于阈值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电阻率小于或等于180μΩ·cm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述孔道结构包括：接触孔和/或连接孔；所述待处理的堆叠结构包括：外围电路区和阵列存储区；

所述在待处理的叠层结构中形成孔道结构，包括：

采用第一预设刻蚀工艺，对所述外围电路区进行刻蚀，形成位于所述外围电路区的接触孔；

采用第二预设刻蚀工艺，对所述阵列存储区进行刻蚀，形成位于所述阵列存储区的接触孔和/或连接孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层至少包括：金属钨。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应前驱体至少包括：氯化钛和氨气。

10.一种氮化钛粘合层的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

采用原子层沉积工艺，充入反应前驱体，在待处理的叠层结构的孔道结构中形成掺杂有氯离子的氮化钛粘合层，其中，所述氮化钛粘合层具有第一电阻率；

采用预设气体的等离子体以预设处理参数处理所述氮化钛粘合层，使得所述预设等离子体与所述氮化钛粘合层中的氯离子发生反应，去除所述氯离子，以得到处理后的氮化钛粘合层；

其中，所述处理后的氮化钛粘合层具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率。