[发明专利]碳化硅晶片、晶锭及其制备方法有效
| 申请号： | 202011344157.8 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112501687B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅晶片、晶锭及其制备方法，属于半导体材料领域。碳化硅单晶片包含氮元素，碳化硅单晶片具有六边形色斑的数量不大于50个，形成六边形色斑的边部垂直于10‑10方向，每个六边形色斑的边部包含空洞的数量为不大于10个。本申请发现一种含氮的碳化硅晶片中存在的新型缺陷即六边形色斑和六边形色斑上存在的空洞缺陷，六边形色斑会使得碳化硅晶片的电阻率不均匀，严重影响碳化硅晶片制得的半导体器件的电学性能，如使得在碳化硅晶片上做的器件失效；空洞的存在不仅影响碳化硅晶片的性能如击穿场强，并且空洞可能会延伸至以碳化硅单晶片作为衬底制得的器件。本申请提供了一种包含六边形色斑和空洞数量少的碳化硅晶片和碳化硅晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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