[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的若干第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括沿第一方向平行排布的第一鳍部和第二鳍部、以及沿第二方向平行排布的第三鳍部和第四鳍部，所述第三鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的一侧端部，所述第四鳍部连接所述第一鳍部和所述第二鳍部的另一侧端部。该结构的所述第一鳍部结构的体积较大，使得在所述第一鳍部结构两侧所形成的第一源漏开口的表面积增大。当所述第一源漏开口的表面积增大后，在第一源漏开口内形成的所述第一源漏掺杂层的体积也相应增大，进而使得所述第一源漏掺杂层内掺入的第一源漏离子增多，以此提升所述第一源漏掺杂层之间的电流，使得最终形成的半导体结构的性能提升。