[发明专利]半导体外延结构及其制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202011321564.7 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530490A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张晖;李仕强;钱洪途 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体外延结构及其制备方法和半导体器件，涉及微电子技术领域，半导体外延结构通过在成核层中掺杂硅原子，同时硅原子的初始掺杂浓度与成核层的上表面和沟道层的上表面之间的距离负相关，而硅原子在成核层中通常以施主的形式存在，会释放一个电子，因此在成核层中掺杂适量的硅原子即提供适量的电子后，原先处于半填充状态的能级会优先捕获这些电子而变成全填充或者接近全填充的状态，这样便可大大减少处于半填充状态的能级，进而减少这些能级对器件电子的捕获，便可以增强器件性能同时增加器件的可靠性。同时，通过对硅原子的掺杂浓度的限定，使得硅原子的掺杂不会影响器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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