[发明专利]补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备在审
| 申请号： | 202011315376.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112490123A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：获取当前的实际刻蚀深度，判断实际刻蚀深度是否达到目标刻蚀深度；若实际刻蚀深度未达到目标刻蚀深度，基于实际刻蚀深度、目标刻蚀深度、常规刻蚀的刻蚀深度、常规刻蚀的循环执行次数、常规刻蚀各工艺参数的初始值和最终值，计算补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中各工艺参数的数值；基于计算得到的补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中工艺参数的数值，执行补充刻蚀。通过本申请提供的技术方案，在常规刻蚀的刻蚀深度没有达到目标刻蚀深度时，可以自动计算出补充刻蚀所需的工艺参数的数值，并基于补充刻蚀所需的工艺参数的数值进行补充刻蚀以达到目标刻蚀深度。 | ||
| 搜索关键词： | 补充 刻蚀 方法 半导体 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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