[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法有效
| 申请号： | 202011301550.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420815B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张有润;罗佳敏;陈航;罗茂久;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/744;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件领域，具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P‑N‑P‑N四层结构，其中，所述P‑N‑P‑N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层、P型碳化硅缓冲层、P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、N+门极欧姆接触区以及P+碳化硅阳极区，其中，P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、P+碳化硅阳极区呈凹槽状。本发明所提出的碳化硅门极可关断晶闸管一方面增大了P+碳化硅阳极区的面积，另一方面增大了N型碳化硅短基区与P‑碳化硅长基区的接触面积，从而使得非平衡载流子注入与抽取增强，上层PNP晶体管的电流增益增大，因此有效增强了长基区的电导调制效应，提高了器件的正向导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 门极可关断 晶闸管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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