[发明专利]一种碳化硅MOSFET制造方法在审
| 申请号： | 202011286996.9 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112466756A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄亚军;黎忠瑾 | 申请（专利权）人： | 深圳宝铭微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人： | 卢杏艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET制造方法，包括以下步骤：S1：将碱土金属氧化物配置，形成覆面层料；S2：将覆面层料设置于金属‑氧化物半导体场效应晶体管表面形成覆面层，使覆面层纵向设置于金属‑氧化物半导体场效应晶体管的二氧化硅SiO2栅介质层与结型场效应晶体管JFET区域之间。从而便于对氮气体剂量进行精确地控制，避免了深能级陷阱以及大量空穴陷阱的情况，保障了晶体管长时间工作的稳定性，保障了安全质量，减少了质量安全隐患，目前市场上现有的碳化硅MOSFET制造方法,难以对氮气体剂量精确控制,而由于难以对氮气体剂量精确控制会容易致使深能级陷阱以及大量空穴陷阱,非常容易导致晶体管长时工作后的不稳定，容易出现不安全的质量隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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