[发明专利]一种二极体结构及其制备方法在审
申请号: | 202011275015.0 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112382630A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 陳秉睿 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种二极体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,在阱区上形成依次排列设置的多个第一鳍体和多个第二鳍体,每个第一鳍体上包括第一掺杂层,每个第二鳍体包括第二掺杂层;第一鳍体和第二鳍体交替设置,第一掺杂层经阱区和第二掺杂层对应形成二极体,以使二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流,第一方向与第二方向相互垂直且分别平行于基底,即通过交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层有效增加了电流导通的路径,进而增加了主动区的等效周长,降低了导通电阻,从而有效提升了其静电放电的能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的