[发明专利]一种二极体结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011275015.0 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112382630A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 陳秉睿 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种二极体结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,在阱区上形成依次排列设置的多个第一鳍体和多个第二鳍体,每个第一鳍体上包括第一掺杂层,每个第二鳍体包括第二掺杂层;第一鳍体和第二鳍体交替设置,第一掺杂层经阱区和第二掺杂层对应形成二极体,以使二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流,第一方向与第二方向相互垂直且分别平行于基底,即通过交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层有效增加了电流导通的路径,进而增加了主动区的等效周长,降低了导通电阻,从而有效提升了其静电放电的能力。
搜索关键词: 一种 二极体 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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