[发明专利]一种二极体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种二极体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括阱区，在所述阱区上形成依次排列设置的多个第一鳍体和多个第二鳍体，在相邻两个所述第一鳍体和所述第二鳍体之间形成隔离层，每个所述第一鳍体包括第一掺杂层，每个所述第二鳍体包括第二掺杂层；所述第一鳍体和所述第二鳍体交替设置，所述第一掺杂层经所述阱区形成二极体的阳极或阴极，所述第二掺杂层对应形成所述二极体的另一极，以使所述二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流，所述第一方向与所述第二方向相互垂直且分别平行于所述基底。

2.如权利要求1所述的二极体结构，其特征在于，所述第一鳍体和所述第二鳍体沿所述第一方向交替设置，且所述第一鳍体和所述第二鳍体沿第二方向交替设置。

3.如权利要求1或2所述的二极体结构，其特征在于，所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述阱区为P型阱区，所述第二掺杂层为N型掺杂层。

4.如权利要求1或2所述的二极体结构，其特征在于，所述第一掺杂层为N型掺杂层，所述阱区为N型阱区，所述第二掺杂层为P型掺杂层。

5.如权利要求1或2所述的二极体结构，其特征在于，所述隔离层包括在相邻两个所述第一鳍体和所述第二鳍体之间形成的浅沟槽隔离层。

6.一种二极体结构制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上形成阱区；

在所述阱区上形成有依次排列设置的多个第一鳍部和第二鳍部；

在相邻两个所述第一鳍部和所述第二鳍部之间形成隔离层；

在每个所述第一鳍部上形成有第一掺杂层以形成第一鳍体，在每个所述第二鳍部上形成有第二掺杂层以形成第二鳍体，其中，所述第一鳍体和所述第二鳍体交替设置以使所述第一掺杂层经所述阱区和所述第二掺杂层形成二极体且所述二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流，所述第一方向与所述第二方向相互垂直且分别平行于所述基底。

7.如权利要求6所述的二极体结构制备方法，其特征在于，所述在相邻两个所述第一鳍部和所述第二鳍部之间形成隔离层包括：

在相邻两个所述第一鳍部和所述第二鳍部之间形成凹槽；

在所述凹槽内填充隔离体以形成所述隔离层。