[发明专利]一种二极体结构及其制备方法

说明书

本发明提供一种二极体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，在阱区上形成依次排列设置的多个第一鳍体和多个第二鳍体，每个第一鳍体上包括第一掺杂层，每个第二鳍体包括第二掺杂层；第一鳍体和第二鳍体交替设置，第一掺杂层经阱区和第二掺杂层对应形成二极体，以使二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流，第一方向与第二方向相互垂直且分别平行于基底，即通过交替设置的第一掺杂层和第二掺杂层有效增加了电流导通的路径，进而增加了主动区的等效周长，降低了导通电阻，从而有效提升了其静电放电的能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种二极体结构及其制备方法。

背景技术

在积体电路的周围通常会逐渐积聚静电荷，从而产生极高的电压。由于静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)可能会破坏整个积体电路，因此如何提高积体电路静电放电的能力是半导体装置中一个重要的问题。已知的作法是在积体电路中加入静电放电装置。当静电瞬间放电产生时，此静电放电装置被开启并引导此静电放电电流使其电性接地，因此保护了与静电放电装置连结的积体电路。静电放电装置有多种类型,其中常使用的一种静电放电装置为浅沟槽隔离二极体。

现有浅沟槽隔离二极体一般采用水平布局或垂直布局，其在使用时，由于主动区的周长较低，因此，导通电阻更大，不利于提升其静电放电的能力。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种二极体结构及其制备方法，以改善现有二极体结构静电放电能力。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

本发明实施例的一方面，提供一种二极体结构，包括：基底，基底包括阱区，在阱区上形成依次排列设置的多个第一鳍体和多个第二鳍体，在相邻两个第一鳍体和第二鳍体之间形成隔离层，每个第一鳍体包括第一掺杂层，每个第二鳍体上包括第二掺杂层；第一鳍体和第二鳍体交替设置，第一掺杂层经阱区形成二极体的阳极或阴极，第二掺杂层对应形成二极体的另一极，以使二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流，第一方向与第二方向相互垂直且分别平行于基底。

可选的，第一鳍体和第二鳍体沿第一方向交替设置，且第一鳍体和第二鳍体沿第二方向交替设置。

可选的，第一掺杂层为P型掺杂层，阱区为P型阱区，第二掺杂层为N型掺杂层。

可选的，第一掺杂层为N型掺杂层，阱区为N型阱区，第二掺杂层为P型掺杂层。

可选的，隔离层包括在相邻两个第一鳍体和第二鳍体之间形成的浅沟槽隔离层。

本发明实施例的另一方面，提供一种二极体结构制备方法，方法包括：在基底上形成阱区；在阱区上形成有依次排列设置的多个第一鳍部和第二鳍部；在相邻两个第一鳍部和第二鳍部之间形成隔离层；在每个第一鳍部上形成有第一掺杂层以形成第一鳍体，在每个第二鳍部上形成有第二掺杂层以形成第二鳍体，其中，第一鳍体和第二鳍体交替设置以使第一掺杂层经阱区和第二掺杂层形成二极体且二极体可被配置以具有沿第一方向的第一电流和沿第二方向的第二电流，第一方向与第二方向相互垂直且分别平行于基底。

可选的，在相邻两个第一鳍部和第二鳍部之间形成隔离层包括：在相邻两个第一鳍部和第二鳍部之间形成凹槽；在凹槽内填充隔离体以形成隔离层。

本发明的有益效果包括：