[发明专利]具有氧化中介层的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011245299.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112864159A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 黄至伟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有一氧化中介层的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一存储单元以及一控制单元。该存储单元具有一存储单元导电层以及一横向氧化中介层，该存储单元导电层位于该基底上，该横向氧化中介层位于该存储单元导电层下。该控制单元位于该基底中，并位于该横向氧化中介层下。该横向氧化中介层具有一侧壁部以及一中心部，而相较于该中心部，该侧壁部具有一较高的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 中介 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
