[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板有效
| 申请号： | 202011212211.3 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112420848B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 赵舒宁;卓毅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，该氧化物薄膜晶体管通过调控栅极层的上层部分的功函数与栅极层的下层部分的功函数之间的关系，调控了栅极层整体的功函数，从而与仅有栅极层的下层部分的薄膜晶体管相比，增大了氧化物薄膜晶体管的阈值电压。该氧化物薄膜晶体管的制作方法通过对栅极层进行表面处理，调控栅极层的上层部分的功函数，从而调控栅极层的上层部分的功函数与栅极层的下层部分的功函数之间的关系，增大了氧化物薄膜晶体管的阈值电压。本申请通过调控栅极层表面的功函数，从而调控了氧化物薄膜晶体管整体的功函数匹配，能够增大氧化物薄膜晶体管的阈值电压，减小因长时间光照导致的阈值电压负偏效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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